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Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD 期刊论文
Rsc Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 65
作者:  Liu, J. X.;  H. W. Liang;  B. H. Li;  Y. Liu;  X. C. Xia;  H. L. Huang;  Q. A. Sandhu;  R. S. Shen;  Y. M. Luo and G. T. Du
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Enhanced emission from ZnO-based double heterostructure light-emitting devices using a distributed Bragg reflector 期刊论文
Rsc Advances, 2014, 卷号: 4, 期号: 32, 页码: 16578-16582
作者:  Lu Y. J.;  Shan C. X.;  Jiang M. M.;  Li B. H.;  Liu K. W.;  Li R. G.;  Shen D. Z.
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