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Interfacial modulation and plasmonic effect mediated high-brightness green light sources in a single Ga-doped ZnO microwire based heterojunction 期刊论文
Crystengcomm, 2022, 卷号: 24, 期号: 38, 页码: 6642-6653
作者:  X. J. Liu;  M. S. Liu;  R. D. Zhu;  B. H. Li;  P. Wan;  D. N. Shi;  C. X. Kan and M. M. Jiang
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Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:  K.Jiang;  X.J.Sun;  J.W.Ben;  Z.M.Shi;  Y.P.Jia;  Y.Wu;  C.H.Kai
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potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion  
The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728
作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Wu, Y.;  Kai, C. H.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography  
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Kai, C. H.;  Wu, Y.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography  
In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文
Crystengcomm, 2013, 卷号: 15, 期号: 30
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Zhang Z. W.
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