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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As… 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁;  李志明
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by… 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 121117-1
作者:  孙晓娟;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  宋航;  陈一仁;  缪国庆
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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline … 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  孙晓娟;  黎大兵;  陈一仁;  李志明
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal… 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1, 页码: 011108-1
作者:  黎大兵;  孙晓娟;  宋航;  李志明;  陈一仁;  缪国庆;  蒋红
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality… 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁
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