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背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  韩五月
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光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构  
V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  付英昊
caj(4204Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:178/0  |  提交时间:2019/09/23
氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷