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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.
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Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality… 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  黎大兵;  孙晓娟;  陈一仁
Adobe PDF(604Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：577/97  |  提交时间：2012/05/12