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Photoemission characteristics of thin GaAs-based heterojunction photocathodes 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 2, 页码: 8
作者:  Feng, C.;  Y. J. Zhang;  Y. S. Qian;  F. Shi;  J. J. Zou and Y. G. Zeng
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Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4
作者:  Han, X. X.;  C. Dong;  Q. Feng;  Y. Ohshita and M. Yamaguchi
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