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Research Progress of High-speed 1 550 nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2022, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 736-744
作者:  S.-Y. Han;  S.-C. Tian;  H.-Y. Xu;  S.-C. Pan;  A. Mansoor;  C.-Z. Tong;  L.-J. Wang;  D. Bimberg and C. Li
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A study on the epitaxial structure and characteristics of high-efficiency blue silicon photodetectors 期刊论文
Chinese Optics, 2022, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 568-591
作者:  W.-S. Chen;  H.-B. Wang;  J. Tao;  D. Gao;  J.-G. Lv;  Y.-X. Qin;  G.-T. Guo;  X.-L. Li;  Q. Wang;  J. Zhang;  J.-Q. Liang and W.-B. Wang
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Development and Future of Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Operated at High Temperatures (Invited) 期刊论文
Guangzi Xuebao/Acta Photonica Sinica, 2022, 卷号: 51, 期号: 2
作者:  J. Zhang;  Y. Ning;  X. Zhang;  Y. Zhou;  C. Chen;  H. Wu;  L. Qin and L. Wang
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InP基高功率短波长量子级联激光器设计 期刊论文
中国光学, 2012, 期号: 01, 页码: 83-91
作者:  王琪;  刘云;  王立军
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量子级联激光器  高功率激光器  有源区设计  Inp基  
基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究 期刊论文
发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1276
作者:  张金龙;  王立军;  刘云
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自催化InP纳米线的MOCVD生长与表征研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  于淑珍
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InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究 期刊论文
液晶与显示, 2004, 期号: 02, 页码: 116-119
作者:  殷景志;  杜国同;  龙北红;  杨树人;  许武;  宣丽
caj(43Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：388/61  |  提交时间：2013/03/11
应变补偿  偏振不灵敏  半导体光放大器