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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:  谢修华;  李炳辉;  张振中;  刘雷;  刘可为;  单崇新;  申德振
caj(2096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：167/41  |  提交时间：2020/08/24
宽禁带  点缺陷  掺杂  离化能