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Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices 期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:  P. Yang;  H. F. Yang;  Z. Y. Wu;  F. Y. Liao;  X. J. Guo;  J. N. Deng;  Q. Xu;  H. M. Wang;  J. J. Sun;  F. Chen;  W. Z. Bao;  L. G. Hu;  Z. K. Liu;  Y. L. Chen;  Z. J. Qiu;  Z. L. Fang;  R. Liu and C. X. Cong
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Nanoantennas Inversely Designed to Couple Free Space and a Metal-Insulator-Metal Waveguide 期刊论文
Nanomaterials, 2021, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 17
作者:  Y. M. Han;  Y. Lin;  W. Ma;  J. G. Korvink;  H. G. Duan and Y. B. Deng
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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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