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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Structural and compositional analysis of (InGa) (AsSb)/GaAs/GaP Stranski-Krastanov quantum dots
期刊论文
Light-Science & Applications, 2021, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 13
作者:
R. S. R. Gajjela
;
A. L. Hendriks
;
J. O. Douglas
;
E. M. Sala
;
P. Steindl
;
P. Klenovsky
;
P. A. J. Bagot
;
M. P. Moody
;
D. Bimberg and P. M. Koenraad
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提交时间:2022/06/13
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:
Sun, Y.
;
Zhou, K.
;
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
;
Sun, Q.
;
Liu, J. P.
;
Zhang, L. Q.
;
Li, D. Y.
;
Sun, X. J.
;
Li, D. B.
;
Zhang, S. M.
;
Ikeda, M.
;
Yang, H.
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提交时间:2019/09/17
x-ray-diffraction
high-power
gan
dislocation
relaxation
films
Optics
Doped GaSe crystals for laser frequency conversion
期刊论文
Light-Science & Applications, 2015, 卷号: 4, 页码: 12
作者:
Guo, J.
;
J. J. Xie
;
D. A. J. Li
;
G. L. Yang
;
F. Chen
;
C. R. Wang
;
L. M. Zhang
;
Y. M. Andreev
;
K. A. Kokh
;
G. V. Lanskii and V. A. Svetlichnyi
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提交时间:2016/07/15