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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:  Liu, T.;  Xiang, D.;  Zheng, Y.;  Wang, Y. A.;  Wang, X. Y.;  Wang, L.;  He, J.;  Liu, L.;  Chen, W.
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homogeneous p-n junctions and inverters  MoTe2/BN heterostructures  nonvolatile and programmable  photodoping in MoTe2 devices  photoresist-free  transition-metal dichalcogenides  black phosphorus  mos2  wse2  inverters  graphene  diodes  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Achieving High-Performance Surface-Enhanced Raman Scattering through One-Step Thermal Treatment of Bulk MoS2 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2018, 卷号: 122, 期号: 26, 页码: 14467-14473
作者:  Yang, D. D.;  Qiu, W.;  Chen, X. J.;  Liu, L.;  Lai, Y. J.;  Meng, Z. H.;  Song, J. P.;  Liu, Y. F.;  Liu, X. Y.;  Zhan, D.
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augmented-wave method  monolayer mos2  layer mos2  bilayer graphene  sers detection  hot-spots  films  molecules  photoluminescence  nanoparticles  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  
Thickness and stacking geometry effects on high frequency overtone and combination Raman modes of graphene 期刊论文
Journal of Raman Spectroscopy, 2013, 卷号: 44, 期号: 1
作者:  Li D. F.;  Zhan D.;  Yan J. X.;  Sun C. L.;  Li Z. W.;  Ni Z. H.;  Liu L.;  Shen Z. X.
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Bandgap engineering of Cu2CdxZn1-xSnS 4 alloy for photovoltaic applications: A complementary experimental and first-principles study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 18
作者:  Xiao Z.-Y.;  Li Y.-F.;  Yao B.;  Deng R.;  Ding Z.-H.;  Wu T.;  Yang G.;  Li C.-R.;  Dong Z.-Y.;  Liu L.;  Zhang L.-G.;  Zhao H.-F.
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