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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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WOS被引频次升序
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Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser
期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:
Li Xiang
;
Wang Hong
;
Qiao Zhongliang
;
Zhang Yu
;
Xu Yingqiang
;
Niu Zhichuan
;
Tong Cunzhu
;
Liu Chongyang
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提交时间:2019/09/17
Gallium compounds
Antimony compounds
III-V semiconductors
Indium antimonides
Quantum well lasers
Semiconductor lasers
Semiconductor quantum wells
Improvement of the photovoltaic performance of Cu2ZnSn(SxSe1-x)(4) solar cells by adding polymer in the precursor solution
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 10, 页码: 7
作者:
Yang, G.
;
Li, Y. F.
;
Yao, B.
;
Ding, Z. H.
;
Deng, R.
;
Zhao, H. F.
;
Zhang, L. G.
;
Zhang, Z. Z.
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提交时间:2019/09/17
CZTSSe
PVP
additive
morphology
efficiency
thin-films
perovskite
growth
Physics
Two Methods of Amplification of Coherent Extreme Ultraviolet Radiation During Harmonic Generation in Plasmas
期刊论文
Optics and Spectroscopy, 2018, 卷号: 124, 期号: 6, 页码: 855-870
作者:
Ganeev, R. A.
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提交时间:2019/09/17
high-order harmonics
laser-produced plasma
photoabsorption spectrum
resonance enhancement
femtosecond pulses
ionization
ablation
nm
photoionization
antimony
Optics
Spectroscopy
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
;
Christen, J.
;
Strittmatter, A.
;
Bimberg, D.
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提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:
Zhang, J. L.
;
Han, C.
;
Hu, Z. H.
;
Wang, L.
;
Liu, L.
;
Wee, A. T. S.
;
Chen, W.
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提交时间:2019/09/17
2D phosphorene
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