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| Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者: Liu X.; Song H. ; Miao G.; Jiang H.; Cao L.; Sun X.; Li D.; Chen Y.; Li Z.
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| Development of Soft X-Ray Multilayer Mirror at 23. 4 nm 期刊论文
Spectroscopy and Spectral Analysis, 2011, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 1138-1141
作者: Liu Z.; Li X.; Ma Y. Y.; Chen B.; Cao J. L.
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| Synthesis and Photoluminescence of Silica Nanowires Grown on Si Substrate 期刊论文
Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials, 2011, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 823-826
作者: Cao L. Z.; Song H.; Jiang H.; Lu H. X.; Li Y. D.; Zhao J. Q.
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| Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD 期刊论文
Applied Surface Science, 2011, 卷号: 257, 期号: 6, 页码: 1996-1999
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R.
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| Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Li D. B.; Sun X. J.; Chen Y. R.; Li Z. M.
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| Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者: Liu X.; Song H.; Miao G. Q.; Jiang H.; Cao L. Z.; Sun X. J.; Li D. B.; Chen Y. R.; Li Z. M.
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| Research progress in growth of one-dimensional ZnO nanostructures and preparing methods of related devices 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 10
作者: Qin J. M.; Tian L. F.; Zhao D. X.; Jiang D. Y.; Cao J. M.; Ding M.; Guo Z.
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| Closure of skin incisions by laser-welding with a combination of two near-infrared diode lasers: preliminary study for determination of optimal parameters 期刊论文
Journal of Biomedical Optics, 2011, 卷号: 16, 期号: 3
作者: Hu L. M.; Lu Z. H.; Wang B.; Cao J. S.; Ma X. B.; Tian Z. H.; Gao Z. J.; Qin L.; Wu X. D.; Liu Y.; Wang L. J.
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