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Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 期号: 04, 页码: 433-435
作者:  赵东旭;  刘益春;  申德振;  张吉英;  吕有明;  范希武
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半导体掺杂  稀土离子  溶胶凝胶  阴极射线发光  
氧化锌可见区发光机制 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 06, 页码: 563-569
作者:  刘益春;  张喜田;  张吉英;  吕有明;  孔祥贵;  申德振;  范希武
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纳米氧化锌薄膜  光致发光  界面  表面钝化  
ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 期号: 04, 页码: 425-428
作者:  吕有明;  申德振;  刘益春;  范希武;  张吉英;  李炳辉;  支壮志;  孔祥贵
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多量子阱  光致发光  拉曼光谱  
ZnCdSe量子点的MOCVD生长及其演变 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 期号: 04, 页码: 429-432+440
作者:  单崇新;  范希武;  张吉英;  张振中;  王晓华;  吕有明;  刘益春;  申德振;  孔祥贵;  吕少哲
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锌镉硒  量子点  金属有机物化学气相沉积  原子力显微镜  
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 04, 页码: 330-334
作者:  赵晓薇;  范希武;  张吉英;  单崇新;  张振中;  羊亿;  吕有明;  刘益春;  申德振
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Znse外延膜  Si衬底  低压mocvd  
在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  张吉英;  范希武;  赵晓薇;  刘益春
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低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-08-14, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  刘益春;  吕有明;  刘玉学;  张吉英;  申德振;  范希武
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