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Crystal characterization of GaP epilayer grown on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 2000, 卷号: 77, 期号: 1, 页码: 24-26
作者:  Zhang Z. C.;  Qin X. Y.;  Cui D. L.;  Kong X. G.;  Huang B. B.;  Jiang M. H.
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Crystal perfection in GaP films heteroepitaxially grown on GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Rare Metals, 2000, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 87-90
作者:  Zhang Z. C.;  Pan J. Q.;  Cui D. L.;  Kong X. G.;  Qin X. Y.;  Huang B. B.;  Jiang M. H.
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：429/40  |  提交时间：2013/03/27