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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Ieee Transactions on Electron Devices
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Theoretical analysis of the detectivity in N-p and P-n GaSb/GaInAsSb infrared photodetectors
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 544-552
作者:
Tian Y.
;
Zhang B. L.
;
Zhou T. M.
;
Jiang H.
;
Jin Y. X.
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提交时间:2012/10/21
The effect of auger mechanism on n(+)-p GaInAsSb infrared photovoltaic detectors
期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 1999, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 656-660
作者:
Tian Y. A.
;
Zhou T. M.
;
Zhang B. L.
;
Jiang H.
;
Jin Y. X.
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提交时间:2012/10/21