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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
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AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 期号: 6
作者:  段安锋;  范翊;  罗劲松;  关树海;  沈永宏;  刘景和
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Caf2晶体  下降法  位错蚀坑  光谱  
Li_2B_4O_7晶体的缺陷分析 期刊论文
人工晶体学报, 1991, 期号: Z1, 页码: 381
作者:  刘景和;  邹宇琦
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Li_2b_4o_7晶体:8605  缺陷分析:4639  生长界面:1226  偏硼酸锂:811  生成条件:756  温度波动:633  完全结晶:616  玻璃体:558  杂质相:557  晶体生长:533  
氟化钡闪烁晶体紫外特性 期刊论文
人工晶体学报, 1991, 期号: Z1, 页码: 403
作者:  姜国经;  于长江;  纪慎功;  赵金贵;  武长举;  杨凤兰;  邹宇奇
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闪烁晶体:6536  紫外特性:5117  氟化钡晶体:3387  中国科学院:2712  精密机械:2239  荧光衰减时间:1589  杂质含量:1203  闪烁性能:1170  透过曲线:974  光子产额:970