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Effect of trimethyl-aluminum preflow on the structure and strain properties of AlN films 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 82-87
作者:  Jia H.;  Chen Y.-R.;  Sun X.-J.;  Li D.-B.;  Song H.;  Jiang H.;  Miao G.-Q.;  Li Z.-M.
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Substrate-removed semiconductor disk laser with 0.6 W output power 期刊论文
Chinese Optics Letters, 2012, 卷号: 10, 期号: SUPPL.1
作者:  Zhang P.;  Dai T.;  Wu Y.;  Ni Y.;  Zhou Y.;  Qin L.;  Liang Y.;  Fan S.
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An aluminum nitride photoconductor for X-ray detection 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 10
作者:  Wang X.;  Song H.;  Li Z.;  Jiang H.;  Li D.;  Miao G.;  Chen Y.;  Sun X.
Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：559/106  |  提交时间：2013/03/27