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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：826/151  |  提交时间：2012/10/21
Scanning electron acoustic microscopy of semiconductor materials 期刊论文
Solid State Communications, 1996, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 853-857
作者:  Li S. W.;  Jiang F. M.;  Yin Q. R.;  Jin Y. X.
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DAMAGE AND ANNEALING OF POTASSIUM TITANYL PHOSPHATE AFTER ER+ AND YB+ IMPLANTATION 期刊论文
Solid State Communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 997-999
作者:  Wang K. M.;  Shi B. R.;  Zhai H. Y.;  Liu X. D.;  Liu Y. G.;  Li Y.;  Li J. S.
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：419/96  |  提交时间：2013/03/27
USING DISPERSION THEORY TO INTERPRET THE POLARIZATION PROPERTIES OF THE BAND-EDGE EMISSION IN GAN CRYSTALS 期刊论文
Solid State Communications, 1987, 卷号: 61, 期号: 6, 页码: 381-384
作者:  Bao Q. C.;  Zhang F. L.;  Li D. L.;  Dai R. S.;  Xu X. R.
Adobe PDF(251Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：504/65  |  提交时间：2013/03/27