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Analysis of the back-barrier effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor on free-standing GaN substrates 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 814, 页码: 6
作者:  X. K. Liu, H. Y. Wang, H. C. Chiu, Y. X. Chen, D. B. Li, C. R. Huang, H. L. Kao, H. C. Kuo and S. W. H. Chen
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ENHANCEMENT EFFECTS OF Y(III) ION ON TB(III) FLUORESCENCE IN TB(III)-Y(III)-BENZOIC ACID COMPLEXES 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 1993, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 19-22
作者:  Li W. L.;  Yu G.;  Huang S. H.
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