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Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 6166-6170
作者:  Z. P. Liu;  C. S. Chu;  B. X. Wang;  G. S. Huang;  K. Jiang;  Y. H. Zhang;  X. J. Sun;  Z. H. Zhang and D. B. Li
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Toward Ultrahigh Red Light Responsive Organic FETs Utilizing Neodymium Phthalocyanine as Light Sensitive Material 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2016, 卷号: 63, 期号: 1
作者:  Sun, L.;  Y. Li;  Q. Ren;  W. L. Lv;  J. P. Zhang;  X. Luo;  F. Y. Zhao;  Z. Chen;  Z. W. Wen;  J. K. Zhong;  Y. Q. Peng and X. Y. Liu
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Simulation of pixel voltage error for a-Si TFT LCD regarding the change in LC pixel capacitance 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2001, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: 218-221
作者:  Zhu Y. F.;  Li M. J.;  Yuan J. F.;  Liu C. Z.;  Yang B. L.;  Shen D. Z.
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Theoretical analysis of the detectivity in N-p and P-n GaSb/GaInAsSb infrared photodetectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 544-552
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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The effect of auger mechanism on n(+)-p GaInAsSb infrared photovoltaic detectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 1999, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 656-660
作者:  Tian Y. A.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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