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Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices 期刊论文
Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5
作者:  T.Guo;  H.Elshekh;  Z.Yu;  B.Yu;  D.Wang;  M.S.Kadhim;  Y.Z.Chen
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Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics  
Overwhelming coexistence of negative differential resistance effect and RRAM 期刊论文
Physical Chemistry Chemical Physics, 2018, 卷号: 20, 期号: 31, 页码: 20635-20640
作者:  Guo, T.;  Sun, B.;  Zhou, Y.;  Zhao, H. B.;  Lei, M.;  Zhao, Y.
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resistive switching memories  film  nanoparticles  mechanisms  filaments  devices  Chemistry  Physics