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Ultraviolet photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 11
作者:  C.Q.Zhou;  Q.Ai;  X.Chen;  X.H.Gao;  K.W.Liu;  D.Z.Shen
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Photodetector,ultraviolet,oxide semiconductor film,solar-blind photodetector,msm uv photodetector,thin-film,fast-response,optoelectronic properties,performance enhancement,electrical-properties,schottky contacts,crystal-structure,zno,nanowire,Physics  
Effect of Dielectric Distributed Bragg Reflector on Electrical and Optical Properties of GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diodes 期刊论文
Micromachines, 2018, 卷号: 9, 期号: 12, 页码: 9
作者:  Zhou, S. J.;  Xu, H. H.;  Liu, M. L.;  Liu, X. T.;  Zhao, J.;  Li, N.;  Liu, S.
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flip-chip light-emitting diodes  distributed Bragg reflector  light  output power  external quantum efficiency  quantum-well  p-type  leds  performance  wavelength  contacts  ito/dbr  laser  power  fabrication  Science & Technology - Other Topics  Instruments & Instrumentation  
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.;  Christen, J.;  Strittmatter, A.;  Bimberg, D.
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AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics