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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
;
C.X.Zhu
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Chemical Vapor Deposition Method Grown All-Inorganic Perovskite Microcrystals for Self-Powered Photodetectors
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2019, 卷号: 11, 期号: 17, 页码: 15804-15812
作者:
C.C.Tian
;
F.Wang
;
Y.P.Wang
;
Z.Yang
;
X.J.Chen
;
J.J.Mei
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提交时间:2020/08/24
all-inorganic perovskites,CVD,photodiode photodetectors,self-powered,photodetectors,CsPbBr3 microcrystals,cspbbr3,Science & Technology - Other Topics,Materials Science
直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究
期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 10, 页码: 1188-1193
作者:
李婷
;
方芳
;
周政
;
赵海峰
;
方铉
;
李金华
;
楚学影
;
魏志鹏
;
房丹
;
王晓华
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提交时间:2015/04/17
Cvd
直立
Zn2geo4/zno纳米棒阵列
发光特性
H_2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响
期刊论文
长春理工大学学报, 2005, 期号: 01, 页码: 90-92
作者:
王辉
;
宋航
;
金亿鑫
;
蒋红
;
缪国庆
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提交时间:2013/03/11
碳化硅
H2稀释度
热丝cvd