直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究

	直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究
	李婷; 方芳; 周政; 赵海峰; 方铉; 李金华; 楚学影; 魏志鹏; 房丹; 王晓华
	2014-10-15
发表期刊	发光学报
期号	10 页码:1188-1193
摘要	利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。所制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒的直径为350~400 nm,高度为10~11μm;室温PL谱观察到3个来源于Zn2GeO4的典型发光峰。最后,对CVD法制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒生长机理进行了分析。该种直立性良好的一维纳米棒材料可以广泛地应用到纳米光电子器件中。
关键词	Cvd 直立 Zn2geo4/zno纳米棒阵列发光特性
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43035
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	李婷,方芳,周政,等. 直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究[J]. 发光学报,2014(10):1188-1193.
APA	李婷.,方芳.,周政.,赵海峰.,方铉.,...&王晓华.(2014).直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究.发光学报(10),1188-1193.
MLA	李婷,et al."直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究".发光学报 .10(2014):1188-1193.

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直立Zn_2GeO_4_ZnO纳米棒阵列（791KB）			开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载