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利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 期刊论文
发光学报, 2011, 期号: 06, 页码: 612-616
作者:  张铁民;  缪国庆;  傅军;  符运良;  林红
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In0.82ga0.18as  金属有机化学气相淀积  缓冲层  
在ZnO/Si衬底上ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长与光学特性 期刊论文
中国激光, 2004, 期号: 03, 页码: 297-300
作者:  王晓华;  范希武;  单崇新;  张振中;  刘益春
caj(58Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：558/87  |  提交时间：2013/03/11
薄膜物理学  Si衬底  Zncdse/znse量子阱  低压金属有机化学气相淀积