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| PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文) 期刊论文 红外与激光工程, 2016, 期号: 4, 页码: 219-222 作者: 陈芳; 方铉; 王双鹏 ; 牛守柱; 方芳; 房丹; 唐吉龙; 王晓华; 刘国军; 魏志鹏
caj(194Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:461/111  |  提交时间:2017/09/17 氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度 |
| 水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究 期刊论文 激光技术, 1994, 期号: 04, 页码: 220-224 作者: 刘国军; 徐莉; 史全林; 王喜祥; 张千勇
caj(174Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:499/104  |  提交时间:2013/03/11 Mocvd 生长速率 均匀性 |
| 热应力的计算及对晶体完整性的影响 期刊论文 人工晶体学报, 1991, 期号: Z1, 页码: 425 作者: 刘景和; 肖汉武; 刘新军
caj(42Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:436/138  |  提交时间:2013/03/11 晶体完整性:6811 力的计算:4538 热应力:4432 晶体生长速率:1884 晶体生长过程:1635 晶体开裂:1326 冷却速率:1217 均匀成核:1164 精密机械:1132 范性形变:1117 |
| 四硼酸锂(Li_2B_4O_7)单晶的生长 期刊论文 人工晶体, 1989, 期号: 01, 页码: 30-34 作者: 刘星忠; 张顺兴
caj(325Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:798/59  |  提交时间:2013/03/11 Li_2b_4o_7:6210 四硼酸锂:6181 晶体生长:3462 降温速率:1637 单晶:1553 X射线:1465 基片材料:1309 生长速率:946 衍射图:900 生长条件:751 |
| 铌酸锂晶体生长 期刊论文 长春光学精密机械学院学报, 1987, 期号: 03, 页码: 73-77 作者: 刘景和; 乔茂有; 李建利
 收藏  |  浏览/下载:426/0  |  提交时间:2013/03/11 晶体生长:6466 晶体半径:5074 晶体开裂:2771 生长过程:2499 热应力:1945 基本理论:1864 法线方向:1736 生长速率:1714 退火:1644 生长条纹:1608 |
| 提拉法生长晶体开裂的理论分析 期刊论文 人工晶体, 1984, 期号: 04, 页码: 281-287 作者: 刘景和; 乔茂友
caj(346Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:512/86  |  提交时间:2013/03/12 晶体开裂:8553 提拉法生长:2953 热应力:1895 轴向温度梯度:1753 晶体生长:1650 理论分析:1613 生长速率:1412 微裂纹:1314 固液界面:1216 化学应力:962 |