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PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响(英文) 期刊论文
红外与激光工程, 2016, 期号: 4, 页码: 219-222
作者:  陈芳;  方铉;  王双鹏;  牛守柱;  方芳;  房丹;  唐吉龙;  王晓华;  刘国军;  魏志鹏
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氮化铝  等离子增强原子层沉积  生长速率  结晶化  表面粗糙度  沉积温度  
水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究 期刊论文
激光技术, 1994, 期号: 04, 页码: 220-224
作者:  刘国军;  徐莉;  史全林;  王喜祥;  张千勇
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Mocvd  生长速率  均匀性  
热应力的计算及对晶体完整性的影响 期刊论文
人工晶体学报, 1991, 期号: Z1, 页码: 425
作者:  刘景和;  肖汉武;  刘新军
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晶体完整性:6811  力的计算:4538  热应力:4432  晶体生长速率:1884  晶体生长过程:1635  晶体开裂:1326  冷却速率:1217  均匀成核:1164  精密机械:1132  范性形变:1117  
四硼酸锂(Li_2B_4O_7)单晶的生长 期刊论文
人工晶体, 1989, 期号: 01, 页码: 30-34
作者:  刘星忠;  张顺兴
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Li_2b_4o_7:6210  四硼酸锂:6181  晶体生长:3462  降温速率:1637  单晶:1553  X射线:1465  基片材料:1309  生长速率:946  衍射图:900  生长条件:751  
铌酸锂晶体生长 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1987, 期号: 03, 页码: 73-77
作者:  刘景和;  乔茂有;  李建利
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晶体生长:6466  晶体半径:5074  晶体开裂:2771  生长过程:2499  热应力:1945  基本理论:1864  法线方向:1736  生长速率:1714  退火:1644  生长条纹:1608  
提拉法生长晶体开裂的理论分析 期刊论文
人工晶体, 1984, 期号: 04, 页码: 281-287
作者:  刘景和;  乔茂友
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晶体开裂:8553  提拉法生长:2953  热应力:1895  轴向温度梯度:1753  晶体生长:1650  理论分析:1613  生长速率:1412  微裂纹:1314  固液界面:1216  化学应力:962