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850nm锥形半导体激光器的温度特性 期刊论文
中国光学, 2013, 期号: 02, 页码: 201-207
作者:  黄海华;  刘云;  杨晔;  秦莉;  宁永强;  王立军
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锥形半导体激光器  温度特性  特征温度  
InGaAsP单量子阱激光器热特性研究 期刊论文
半导体光电, 2005, 期号: 04, 页码: 291-293
作者:  张永明;  钟景昌;  路国光;  秦莉
caj(100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：409/63  |  提交时间：2013/03/11
单量子阱激光器  Inga As p  热特性  特征温度  
半导体量子点激光器的发展 期刊论文
光机电信息, 2002, 期号: 04, 页码: 26-30
作者:  宁永强;  王立军
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量子点激光器:9544  量子阱材料:1331  电流密度:1224  量子点材料:1167  面发射激光器:1095  半导体激光器:1050  特征温度:913  量子线:714  自组装:556  生长模式:547  
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 06, 页码: 388-389+392
作者:  高欣;  曲轶;  薄报学;  张宝顺;  张兴德
caj(33Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：519/89  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  液相外延  分别限制单量子阱  特征温度