Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
850nm锥形半导体激光器的温度特性 | |
黄海华; 刘云; 杨晔; 秦莉; 宁永强; 王立军 | |
2013-04-15 | |
发表期刊 | 中国光学 |
期号 | 02页码:201-207 |
摘要 | 采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,分别制备了具有锥形结构和条形结构的半导体激光器,并对比分析了两者的温度特性。结果显示,测试温度为20~70℃时,锥形结构器件的特征温度为164 K,远高于条形结构器件的96 K;占空比为0.5%(t=50μs,f=100 Hz),1 000 mA脉冲电流注入条件下,锥形激光器和条形激光器的波长漂移系数分别为0.25和0.28 nm/K;测试温度<50℃时,锥形激光器和条形激光器的光谱半高宽分别约为1.12和1.24 nm。实验结果表明:相同外延层结构条件下,锥形激光器比条形激光器拥有更高的特征温度。 |
关键词 | 锥形半导体激光器 温度特性 特征温度 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38908 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄海华,刘云,杨晔,等. 850nm锥形半导体激光器的温度特性[J]. 中国光学,2013(02):201-207. |
APA | 黄海华,刘云,杨晔,秦莉,宁永强,&王立军.(2013).850nm锥形半导体激光器的温度特性.中国光学(02),201-207. |
MLA | 黄海华,et al."850nm锥形半导体激光器的温度特性".中国光学 .02(2013):201-207. |
条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
850nm锥形半导体激光器的温度特性.c(256KB) | 开放获取 | CC BY-NC-ND | 浏览 下载 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[黄海华]的文章 |
[刘云]的文章 |
[杨晔]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[黄海华]的文章 |
[刘云]的文章 |
[杨晔]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[黄海华]的文章 |
[刘云]的文章 |
[杨晔]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论