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| 1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 261-268
作者: 张卓; 宁永强 ; 张建伟; 张继业; 曾玉刚; 张俊; 张星; 周寅利; 黄佑文; 秦莉; 刘云; 王立军
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激光物理 半导体激光器 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱 |
| 1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 页码: 14
作者: 张卓; 宁永强; 张建伟; 张继业; 曾玉刚; 张俊; 张星; 周寅利; 黄佑文; 秦莉; 刘云; 王立军
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半导体激光器 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱 |
| AlGaInAs近红外半导体激光器外延结构的退化机理研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 宋悦
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AlGaInAs应变量子阱 铟离析 载流子局域化中心 热膨胀系数 热处理 |
| 852nm半导体激光器量子阱设计与外延生长 期刊论文
光学精密工程, 2013, 期号: 03, 页码: 590-597
作者: 徐华伟; 宁永强; 曾玉刚; 张星; 秦莉
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半导体激光器 应变量子阱 外延生长 波长漂移 反射各向异性谱 |
| 高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵 期刊论文
光学精密工程, 2012, 期号: 10, 页码: 2147-2153
作者: 刘迪; 宁永强; 张金龙; 张星; 王立军
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垂直腔面发射激光器列阵 峰值功率 功率密度 Ingaas/gaasp应变量子阱 |
| GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算 期刊论文
激光杂志, 2004, 期号: 05, 页码: 29-31
作者: 晏长岭; 秦莉; 宁永强; 张淑敏; 王青; 赵路民; 刘云; 王立军; 钟景昌
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应变量子阱 量子化能级 跃迁 长波长 色散关系 |
| 垂直腔面发射激光器及其进展 期刊论文
光机电信息, 2003, 期号: 07, 页码: 18-21
作者: 赵路民; 王青; 宁永强; 王立军
caj(33Kb) | 收藏 | 浏览/下载：576/117 | 提交时间：2013/03/11
面发射激光器:8081 垂直腔:4048 Vcsel:3381 半导体激光器:1500 阈值电流:1048 边发射激光器:890 量子阱激光器:878 应变量子阱结构:864 中国科学院:805 光互连:742 |
