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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 02, 页码: 90-91+95
作者:  李忠辉;  李梅;  王玲;  高欣;  王玉霞;  张兴德
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分别限制结构  阈值电流密度  外微分量子效率  
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 01, 页码: 90-92
作者:  李忠辉;  王玉霞;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
caj(28Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：521/71  |  提交时间：2013/03/11
梯度折射率  分别限制结构  单量子阱  激光器  
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 232-235
作者:  李忠辉;  张宝顺;  杨进华;  张兴德;  王向武
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分别限制结构  单量子阱  激光器  
高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器 期刊论文
光学学报, 1997, 期号: 12, 页码: 15-18
作者:  朱宝仁;  张兴德;  薄报学;  张宝顺;  杨忠和
caj(84Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：423/54  |  提交时间：2013/03/11
半导体激光器  高功率  分别限制结构