Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器 | |
| 朱宝仁; 张兴德; 薄报学; 张宝顺; 杨忠和 | |
| 1997-12-05 | |
| 发表期刊 | 光学学报
 |
| 期号 | 12页码:15-18 |
| 关键词 | 半导体激光器 高功率 分别限制结构 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31718 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱宝仁,张兴德,薄报学,等. 高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]. 光学学报,1997(12):15-18. |
| APA | 朱宝仁,张兴德,薄报学,张宝顺,&杨忠和.(1997).高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器.光学学报(12),15-18. |
| MLA | 朱宝仁,et al."高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器".光学学报 .12(1997):15-18. |
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