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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Carrier recombination dynamics in green InGaN-LEDs with quantum-dot-like structures
期刊论文
Journal of Materials Science, 2021, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1481-1491
作者:
M. Tian
;
C. Ma
;
T. Lin
;
J. Liu
;
D. N. Talwar
;
H. Yang
;
J. Cao
;
X. Huang
;
W. Niu
;
I. T. Ferguson
;
L. Wan and Z. C. Feng
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提交时间:2022/06/13
Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers
期刊论文
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10
作者:
D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng
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提交时间:2021/07/06
Polarization dependent infrared reflectivity studies of Si-doped MOCVD grown GaN/Sapphire epilayers
期刊论文
Materials Chemistry and Physics, 2020, 卷号: 252, 页码: 16
作者:
D. N. Talwar,H. H. Lin and Z. C. Feng
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提交时间:2021/07/06