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Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 04, 页码: 330-334
作者:  赵晓薇;  范希武;  张吉英;  单崇新;  张振中;  羊亿;  吕有明;  刘益春;  申德振
caj(232Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：494/94  |  提交时间：2013/03/11
Znse外延膜  Si衬底  低压mocvd  
在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  张吉英;  范希武;  赵晓薇;  刘益春
Adobe PDF(210Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：536/58  |  提交时间：2012/08/29