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一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  李志明;  景玉梅;  叶如华;  李菊生
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掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 期刊论文
液晶与显示, 2000, 期号: 03, 页码: 196-201
作者:  景玉梅;  叶如华;  李志明;  李菊生
caj(86Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：504/58  |  提交时间：2013/03/11
Cdse  薄膜晶体管  掺杂  
CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 期刊论文
液晶与显示, 2000, 期号: 01, 页码: 35-39
作者:  景玉梅;  李志明;  李菊生;  叶如华
caj(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：406/61  |  提交时间：2013/03/11
Cdse  薄膜晶体管  迁移率  
生长氮氧硅薄膜的方法 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1186124, 申请日期: 1998-07-01, 公开日期: 2012-09-14
发明人:  高鹏涛;  叶如华
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薄膜电致发光器件的退火方法 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1186330, 申请日期: 1998-07-01, 公开日期: 2012-09-14
发明人:  高鹏涛;  叶如华
Adobe PDF(98Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：353/51  |  提交时间：2012/09/14
一种交流薄膜电致发光器件的制备方法 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1185041, 申请日期: 1998-06-17, 公开日期: 2012-09-14
发明人:  楚振生;  叶如华;  高鹏涛
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一种金属漏版材料及漏版制作技术 （发明） 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: 1185023, 申请日期: 1998-06-17, 公开日期: 2012-09-14
发明人:  邴秀华;  叶如华
Adobe PDF(78Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：366/49  |  提交时间：2012/09/14