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| 一种改善蒸发薄膜半导体器件性能的工艺方法 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2012-08-29 发明人: 李志明; 景玉梅; 叶如华; 李菊生 Adobe PDF(168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:490/46  |  提交时间:2012/08/29 |
| 掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究 期刊论文 液晶与显示, 2000, 期号: 03, 页码: 196-201 作者: 景玉梅; 叶如华; 李志明; 李菊生 caj(86Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:698/63  |  提交时间:2013/03/11 Cdse 薄膜晶体管 掺杂 |
| CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究 期刊论文 液晶与显示, 2000, 期号: 01, 页码: 35-39 作者: 景玉梅; 李志明; 李菊生; 叶如华 caj(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:521/69  |  提交时间:2013/03/11 Cdse 薄膜晶体管 迁移率 |
| 生长氮氧硅薄膜的方法 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: 1186124, 申请日期: 1998-07-01, 公开日期: 2012-09-14 发明人: 高鹏涛; 叶如华 Adobe PDF(73Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:454/66  |  提交时间:2012/09/14 |
| 薄膜电致发光器件的退火方法 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: 1186330, 申请日期: 1998-07-01, 公开日期: 2012-09-14 发明人: 高鹏涛; 叶如华 Adobe PDF(98Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:406/62  |  提交时间:2012/09/14 |
| 一种交流薄膜电致发光器件的制备方法 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: 1185041, 申请日期: 1998-06-17, 公开日期: 2012-09-14 发明人: 楚振生; 叶如华; 高鹏涛 Adobe PDF(76Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:392/64  |  提交时间:2012/09/14 |
| 一种金属漏版材料及漏版制作技术 (发明) 专利 专利类型: 发明专利, 专利号: 1185023, 申请日期: 1998-06-17, 公开日期: 2012-09-14 发明人: 邴秀华; 叶如华 Adobe PDF(78Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:414/64  |  提交时间:2012/09/14 |