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Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
Photoluminescence and Long-lasting Phosphorescence Characteristics of (Zn1-x, Mgx)2GeO4: Mn2+ 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2017, 卷号: 38, 期号: 9
作者:  Guo, C.;  Y. Cong;  B. Dong;  Z.-M. Zhu;  Z.-W. Wang;  Z. Zhang and B. Li
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Synthesis and Luminescence Properties of Zn2GeO4 Nanorods 期刊论文
Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2017, 卷号: 33, 期号: 10
作者:  Yang, Y.;  Y. Cong;  Z. M. Zhu;  C. Guo;  Z. Zhang;  Z. W. Wang and J. H. Zhang
浏览  |  Adobe PDF(1345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：513/138  |  提交时间：2018/06/13
Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响 期刊论文
发光学报, 2014, 期号: 12, 页码: 1405-1409
作者:  李超群;  张振中;  谢修华;  陈洪宇;  申德振
caj(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：545/168  |  提交时间：2015/04/17
Mgzno  Ga掺杂  能级深度  电阻  
稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  申赫
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MgZnO薄膜掺杂及其紫外探测器研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  李超群
Adobe PDF(4451Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：491/1  |  提交时间：2014/08/21
氮掺杂p型ZnO薄膜制备及相关问题研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  赵鹏程
Adobe PDF(4045Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：501/1  |  提交时间：2014/03/15
Zno薄膜  P型掺杂  分子束外延  间歇性补氧  B-n共掺