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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层  
延伸波长In0.82Ga0.18As 红外探测器器件结构优化设计 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  赵旭
Adobe PDF(3292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：442/2  |  提交时间：2015/05/03
“铟镓砷”  “暗电流”  “apsys”