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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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作者
黎大兵 [1]
孙晓娟 [1]
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2019 [1]
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限定条件
发表日期:2019
语种:英语
资助机构:National Key R&D Program of China
资助机构:National Natural Science Foundation of China
作者:孙晓娟
第一作者
作者:黎大兵
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Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6
作者:
Kai, CuiHong
;
Sun, XiaoJuan
;
Jia, YuPing
;
Shi, ZhiMing
;
Jiang, Ke
;
Ben, JianWei
;
Wu, You
;
Wang, Yong
;
Liu, HeNan
;
Li, XiaoHang
;
Li, DaBing
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提交时间:2019/05/22
pit defects
surface potential
electron concentration