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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Journal of Luminescence
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1045 nm purely gain coupled semiconductor laser based on periodic electric injection
期刊论文
Journal of Luminescence, 2020, 卷号: 225, 页码: 7
作者:
D. Z. Ma, Y. Y. Chen, Y. X. Lei, P. Jia, F. Gao, Y. G. Zeng, L. Liang, Y. Song, C. K. Ruan, X. Liu, L. Qin, Y. Q. Ning and L. J. Wang
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提交时间:2021/07/06
Photoluminescence of indium-rich copper indium sulfide quantum dots
期刊论文
Journal of Luminescence, 2015, 卷号: 162, 页码: 191-196
作者:
Liu, W. Y.
;
Y. Zhang
;
J. Zhao
;
Y. Feng
;
D. Wang
;
T. Q. Zhang
;
W. Z. Gao
;
H. R. Chu
;
J. Z. Yin
;
Y. D. Wang
;
J. Zhao and W. W. Yu
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提交时间:2016/07/15
Enhanced orange-red emission by using Mo codoped in Ba2CaWO6: Eu3+, Li+ phosphor under near UV excitation
期刊论文
Journal of Luminescence, 2013, 期号: 134
作者:
Sun X. Y.
;
Hao Z. D.
;
Li C. J.
;
He X. G.
;
Qi H. Y.
;
Yu L. J.
;
Luo Y. S.
;
Zhang J. H.
;
Gao J. W.
;
Zhong R. X.
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提交时间:2014/05/14
Post-annealing influence on electrical properties and photoluminescence of B-N codoping ZnO thin films
期刊论文
Journal of Luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 6, 页码: 1101-1105
作者:
Sui Y. R.
;
Yao B.
;
Yang J. H.
;
Gao L. L.
;
Yang T.
;
Deng R.
;
Ding M.
;
Zhao T. T.
;
Huang X. M.
;
Pan H. L.
;
Shen D. Z.
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提交时间:2012/10/21
X-RAY TOPOGRAPHY AND PHOTOLUMINESCENCE (PL) AT GAAS/ALGAAS MBE AND LPE HETEROJUNCTION MATERIALS
期刊论文
Journal of Luminescence, 1988, 页码: 757-758
作者:
Feng Y. C.
;
Gao D. C.
;
Yuan Y. R.
;
Eda K.
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提交时间:2013/03/27