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Optical and structural properties of AlN thin films deposited on different faces of sapphire substrates 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2021, 卷号: 36, 期号: 4
作者:  J. Yin;  B. Zhou;  L. Li;  Y. Liu;  W. Guo;  D. N. Talwar;  K. He;  I. T. Ferguson;  L. Wan and Z. C. Feng
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Effect of post annealing on the band gap of Mg(x)Zn(1-x)O thin films 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3
作者:  Jiang D. Y.;  Shen D. Z.;  Liu K. W.;  Shan C. X.;  Zhao Y. M.;  Yang T.;  Yao B.;  Lu Y. M.;  Zhang J. Y.
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Highly efficient phosphorescent organic light-emitting devices based on Re(CO)(3)Cl-bathophenanthroline 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 553-556
作者:  Li J.;  Si Z. J.;  Liu C. B.;  Li C. N.;  Zhao F. F.;  Duan Y.;  Chen P. Y.;  Liu S.;  Li B.
Adobe PDF(143Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：575/156  |  提交时间：2012/10/21
Highly efficient and high colour rendering index white organic light-emitting devices using bis(2-(2-fluorphenyl)- 1,3-benzothiozolato-N,C 2) iridium (acetylacetonate) as yellow emitter 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 798-801
作者:  Li J.;  Chen P.;  Duan Y.;  Zhao F.;  Li C.;  Xie W.;  Liu S.;  Zhang L.;  Li B.
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Electrical transport properties in nitrogen-doped p-type ZnO thin film 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1522-1526
作者:  Xiao Z. Y.;  Liu Y. C.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Zhao D. X.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Electrical and structural properties of p-type ZnO : N thin films prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 796-800
作者:  Xiao Z. Y.;  Liu Y. C.;  Zhang J. Y.;  Zhao D. X.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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