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AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
caj(9945Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:293/0  |  提交时间:2020/08/24
AlN  AlGaN  类同质外延  日盲紫外探测器  
Growth dynamics and carrier control of the third generation semiconductor with large mismatch and strong polarization 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2016, 卷号: 37, 期号: 11
作者:  Wang, X.-Q.;  D.-B. Li;  B. Liu;  Q. Sun and J.-C. Zhang
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局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  包广宏
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Algan日盲紫外探测器  表面等离激元  Al颗粒制备  
基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  胡光冲
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Mgzno  深紫外  等离子体  Mocvd  
氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  倪佩楠
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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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MgZnO合金薄膜带隙调制及其紫外探测器件 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  郑剑
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