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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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发表日期:2018
文献类型:期刊论文
作者:陈伟
第一作者
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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:
Liu, T.
;
Xiang, D.
;
Zheng, Y.
;
Wang, Y. A.
;
Wang, X. Y.
;
Wang, L.
;
He, J.
;
Liu, L.
;
Chen, W.
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浏览/下载:505/132
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提交时间:2019/09/17
homogeneous p-n junctions and inverters
MoTe2/BN heterostructures
nonvolatile and programmable
photodoping in MoTe2 devices
photoresist-free
transition-metal dichalcogenides
black phosphorus
mos2
wse2
inverters
graphene
diodes
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices
期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11
作者:
Zhang, J. L.
;
Han, C.
;
Hu, Z. H.
;
Wang, L.
;
Liu, L.
;
Wee, A. T. S.
;
Chen, W.
Adobe PDF(3748Kb)
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浏览/下载:711/157
  |  
提交时间:2019/09/17
2D phosphorene
electronic devices
epitaxial growth
interface
engineering
layer black phosphorus
2-dimensional materials
band-gap
transport-properties
carrier mobility
blue phosphorus
graphene
surface
functionalization
semiconductors
Chemistry
Science & Technology - Other Topics
Materials Science
Physics
Two-dimensional multibit optoelectronic memory with broadband spectrum distinction
期刊论文
Nature Communications, 2018, 卷号: 9, 页码: 8
作者:
Xiang, D.
;
Liu, T.
;
Xu, J. L.
;
Tan, J. Y.
;
Hu, Z. H.
;
Lei, B.
;
Zheng, Y.
;
Wu, J.
;
Neto, A. H. C.
;
Liu, L.
;
Chen, W.
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浏览/下载:528/125
  |  
提交时间:2019/09/17
plasmonic color filters
p-n-junctions
image sensor
monolayer mos2
boron-nitride
graphene
electronics
transistors
devices
chip
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