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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline … 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  宋航;  缪国庆;  蒋红;  孙晓娟;  黎大兵;  陈一仁;  李志明
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Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G.;  Jiang H.;  Cao L.;  Sun X.;  Li D.;  Chen Y.;  Li Z.
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Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistancearea product in In1-xGaxAs detector 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 24, 页码: 1953-1957
作者:  Chang Y.;  Shi B.;  Li L.;  Yin J.;  Gao F.;  Du G.;  Jin Y.
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Probing into the effect of Auger recombination mechanism on zero bias resistance-area product in In1-xGaxAs detector 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 24, 页码: 1953-1957
作者:  Chang Y. C.;  Shi B.;  Li L. H.;  Yin J. Z.;  Gao F. B.;  Du G. T.;  Jin Y. X.
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：534/135  |  提交时间：2012/10/21
Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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MgZnO metal-semiconductor-metal structured solar-blind photodetector with fast response 期刊论文
Solid State Communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 45-46, 页码: 2021-2023
作者:  Wang L. K.;  Ju Z. G.;  Shan C. X.;  Zheng J.;  Shen D. Z.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.
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Electrical transport and high thermoelectric properties of PbTe doped with Bi2Te3 prepared by HPHT 期刊论文
Solid State Communications, 2006, 卷号: 138, 期号: 12, 页码: 580-584
作者:  Su T. C.;  Zhu P. W.;  Ma H. A.;  Ren G. Z.;  Chen L. X.;  Guo W. L.;  Iami Y.;  Jia X. P.
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Effect of OH- on the upconversion luminescent efficiency of Y2O3 : Yb3+, Er3+ nanostructures 期刊论文
Solid State Communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 9, 页码: 483-487
作者:  De G. J.;  Qin W. P.;  Zhang J. S.;  Wang Y.;  Cao C. Y.;  Cui Y.
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