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MgZnO metal-semiconductor-metal structured solar-blind photodetector with fast response
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Wang L. K.; Ju Z. G.; Shan C. X.; Zheng J.; Shen D. Z.; Yao B.; Zhao D. X.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Zhang J. Y.
2009
发表期刊Solid State Communications
ISSN0038-1098
卷号149期号:45-46页码:2021-2023
摘要A Mg(0.48)Zn(0.52)O thin film was deposited on a sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, and the thin film exhibits a single cubic phase with high crystal quality from X-ray diffraction measurements. A metal-semiconductor-metal (MSM) structured photodetector was fabricated on the film. The device exhibits a peak response of 268 nm with a cutoff wavelength at 283 nm. Rise and decay times of 10 ns and 150 ns, respectively, are obtained with a load resistance of 50 Omega. The pulse response for the device is limited by the RC time constant. (C) 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/26346
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Wang L. K.,Ju Z. G.,Shan C. X.,et al. MgZnO metal-semiconductor-metal structured solar-blind photodetector with fast response[J]. Solid State Communications,2009,149(45-46):2021-2023.
APA Wang L. K..,Ju Z. G..,Shan C. X..,Zheng J..,Shen D. Z..,...&Zhang J. Y..(2009).MgZnO metal-semiconductor-metal structured solar-blind photodetector with fast response.Solid State Communications,149(45-46),2021-2023.
MLA Wang L. K.,et al."MgZnO metal-semiconductor-metal structured solar-blind photodetector with fast response".Solid State Communications 149.45-46(2009):2021-2023.
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