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| Low-frequency band gap and defect state characteristics in a multi-stub phononic crystal plate with slit structure 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 期号: 1
作者: Jiang, P.
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| Control of N/N(2) species ratio in NO plasma for p-type doping of ZnO 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5
作者: Chen X. Y.; Zhang Z. Z.; Yao B.; Jiang M. M.; Wang S. P.; Li B. H.; Shan C. X.; Liu L. ; Zhao D. X.; Zhao H. F.; Shen D. Z.
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| Fabrication and photoluminescence of ZnS:Mn(2+) nanowires/ZnO quantum dots/SiO(2) heterostructure 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4
作者: Yang J. H.; Cao J. A.; Yang L. L.; Zhang Y. J.; Wang Y. X.; Liu X. Y.; Wang D. D.; Wei M. B.; Gao M.; Lang J. H.
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| The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11
作者: Gai Y. Q.; Li J. B.; Yao B.; Xia J. B.
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| Water soluble CdS nanoparticles with controllable size prepared via femtosecond laser ablation 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 6
作者: Gong W. W.; Zheng Z. H.; Zheng J. J.; Hu X. B.; Gao W.
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| Preparation and characterization of ZnO particles embedded in SiO2 matrix by reactive magnetron sputtering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2005, 卷号: 97, 期号: 10
作者: Ma J. G.; Liu Y. C.; Xu C. S.; Liu Y. X.; Shao C. L.; Xu H. Y.; Zhang J. Y.; Lu Y. M.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| Structure and photoluminescence properties of ZnO microrods 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 9, 页码: 5605-5608
作者: Zhao D. X.; Liu Y. C.; Shen D. Z.; Lu Y. M.; Zhang L. G.; Fan X. W.
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| Enhanced ultraviolet emission and optical properties in polyvinyl pyrrolidone surface modified ZnO quantum dots 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 9, 页码: 4489-4493
作者: Yang C. L.; Wang J. N.; Ge W. K.; Guo L.; Yang S. H.; Shen D. Z.
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| Mechanism of donor-acceptor pair recombination in Mg-doped GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 4, 页码: 2082-2085
作者: Kang T. W.; Park S. H.; Song H.; Kim T. W.; Yoon G. S.; Kim C. O.
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| Studies on 0.96 and 0.84 eV photoluminescence emissions in GaAs epilayers grown on Si 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 7173-7176
作者: Liang J. C.; Jiang J. H.; Zhao J. L.; Gao Y.
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