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Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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Memory effect and negative differential resistance in tris-(8-hydroxy quinoline) aluminum/bathocuproine bilayer devices 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 8
作者:  Su Z. S.;  Fung M. K.;  Lee C. S.;  Li W. L.;  Lee S. T.
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On the nature of the carriers in ferromagnetic FeSe 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11
作者:  Wu X. J.;  Shen D. Z.;  Zhang Z. Z.;  Zhang J. Y.;  Liu K. W.;  Li B. H.;  Lu Y. M.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Li B. S.;  Shan C. X.;  Fan X. W.;  Liu H. J.;  Yang C. L.
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On the nature of the carriers in ferromagnetic FeSe 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 期号: 90, 页码: 112105
作者:  X. J. Wu;  D. Z. Shen;  Z. Z. Zhang;  X. W. Fan;  H. J. Liu;  C. L. Yang;  J. Y. Zhang;  K. W. Liu;  B. H. Li;  Y. M. Lu;  B. Yao;  D. X. Zhao;  B. S. Li;  C. X. Shan
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Hole transport in p-type ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 23
作者:  Sun J. W.;  Lu Y. M.;  Liu Y. C.;  Shen D. Z.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.
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