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Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 3, 页码: 4
作者:  Ni P. N.;  Shan C. X.;  Li B. H.;  Shen D. Z.
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Single-crystalline cubic MgZnO films and their application in deep-ultraviolet optoelectronic devices 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 13
作者:  Wang L. K.;  Ju Z. G.;  Zhang J. Y.;  Zheng J.;  Shen D. Z.;  Yao B.;  Zhao D. X.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Shan C. X.
Adobe PDF(583Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：576/123  |  提交时间：2012/10/21
In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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A direct first principles study on the structure and electronic properties of BexZn1-xO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 12
作者:  Fan X. F.;  Zhu Z.;  Ong Y. S.;  Lu Y. M.;  Shen Z. X.;  Kuo J. L.
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Observation of 1.5 mu m photoluminescence and electroluminescence from a holmium organic complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5115-5117
作者:  Zang F. X.;  Li W. L.;  Hong Z. R.;  Wei H. Z.;  Li M. T.;  Sun X. Y.;  Lee C. S.
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