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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Acs Applied Materials & Interfaces
语种:英语
文献类型:期刊论文
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Revealing the Modulation Effects on the Electronic Band Structures and Exciton Properties by Stacking Graphene/h-BN/MoS2 Schottky Heterostructures
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2023, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 2468-2478
作者:
X. D. Zhu, J. B. He, W. M. Liu, Y. X. Zheng, C. X. Sheng, Y. Luo, S. J. Li, R. J. Zhang and J. H. Chu
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提交时间:2024/08/13
Modulation of Field-Effect Passivation at the Back Electrode Interface Enabling Efficient Kesterite-Type Cu2ZnSn(S,Se)(4) Thin-Film Solar Cells
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 34, 页码: 38163-38174
作者:
Y. P. Song,H. H. Sun,B. Yao,Y. F. Li,Z. H. Ding,W. Qin,Z. Z. Zhang,L. G. Zhang,H. F. Zhao and D. C. Pan
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提交时间:2021/07/06
Self-Organized Back Surface Field to Improve the Performance of Cu2ZnSn(S,Se)(4) Solar Cells by Applying P-Type MoSe2:Nb to the Back Electrode Interface
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2019, 卷号: 11, 期号: 35, 页码: 31851-31859
作者:
Y.P.Song
;
B.Yao
;
Y.F.Li
;
Z.H.Ding
;
H.H.Sun
;
Z.Z.Zhang
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提交时间:2020/08/24
Cu2ZnSn(S,Se)(4),solar cells,back surface field,p-MoSe2:Nb,carrier,recombination,shunt resistance,series resistance,recombination,resistance,monolayer,contact,mos2,bsf,Science & Technology - Other Topics,Materials Science
Influencing Mechanism of the Selenization Temperature and Time on the Power Conversion Efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)(4)-Based Solar Cells
期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2016, 卷号: 8, 期号: 27
作者:
Xiao, Z. Y.
;
B. Yao
;
Y. F. Li
;
Z. H. Ding
;
Z. M. Gao
;
H. F. Zhao
;
L. G. Zhang
;
Z. Z. Zhang
;
Y. R. Sui and G. Wang
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提交时间:2017/09/11