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Low-frequency band gap and defect state characteristics in a multi-stub phononic crystal plate with slit structure 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 期号: 1
作者:  Jiang, P.
浏览  |  Adobe PDF(1884Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：178/73  |  提交时间：2018/06/13
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4
作者:  Han, X. X.;  C. Dong;  Q. Feng;  Y. Ohshita and M. Yamaguchi
浏览  |  Adobe PDF(711Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：148/55  |  提交时间：2016/07/15
Bandgap engineering of Cu2CdxZn1-xSnS 4 alloy for photovoltaic applications: A complementary experimental and first-principles study 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 18
作者:  Xiao Z.-Y.;  Li Y.-F.;  Yao B.;  Deng R.;  Ding Z.-H.;  Wu T.;  Yang G.;  Li C.-R.;  Dong Z.-Y.;  Liu L.;  Zhang L.-G.;  Zhao H.-F.
Adobe PDF(1985Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：442/47  |  提交时间：2014/05/14
High frequency local vibrational modes of oxygen doped CdSe 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 19
作者:  Cheng W.;  Liu L.;  Yu P. Y.
Adobe PDF(900Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：398/96  |  提交时间：2014/05/14
Interionic energy transfer in Y3Al5O12:Ce3+, Pr3+ phosphor 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 9
作者:  Wang L.;  Zhang X.;  Hao Z. D.;  Luo Y. S.;  Zhang J. H.;  Wang X. J.
Adobe PDF(3423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：455/66  |  提交时间：2012/10/21
Fabrication and optical properties of Ce-doped ZnO nanorods 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7
作者:  Lang J. H.;  Han Q.;  Yang J. H.;  Li C. S.;  Li X.;  Yang L. L.;  Zhang Y. J.;  Gao M.;  Wang D. D.;  Cao J.
Adobe PDF(541Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：860/180  |  提交时间：2012/10/21
Enhanced photoluminescence caused by localized excitons observed in MgZnO alloy 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10
作者:  Zhu H.;  Shan C. X.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Zhang J. Y.;  Yao B.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
Adobe PDF(642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：620/138  |  提交时间：2012/10/21
Magnetophotoluminescence of Zn0.88Mn0.12Se grown by metal-organic chemical vapor deposition on GaAs substrates 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 7
作者:  Lu S. L.;  Jiang D. S.;  Dai J. M.;  Yang C. L.;  He H. T.;  Ge W. K.;  Wang J. N.;  Chang K.;  Zhang J. Y.;  Shen D. Z.
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：554/112  |  提交时间：2012/10/21
Mechanism of donor-acceptor pair recombination in Mg-doped GaN epilayers grown on sapphire substrates 期刊论文
Journal of Applied Physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 4, 页码: 2082-2085
作者:  Kang T. W.;  Park S. H.;  Song H.;  Kim T. W.;  Yoon G. S.;  Kim C. O.
Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：498/136  |  提交时间：2012/10/21