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Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps 期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:  K.Jiang;  X.J.Sun;  J.W.Ben;  Z.M.Shi;  Y.P.Jia;  Y.Wu;  C.H.Kai
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potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion  
Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN-sapphire substrates by thermal annealing 期刊论文
Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 32, 页码: 4623-4629
作者:  Ben, J. W.;  Sun, X. J.;  Jia, Y. P.;  Jiang, K.;  Shi, Z. M.;  Liu, H. N.;  Wang, Y.;  Kai, C. H.;  Wu, Y.;  Li, D. B.
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light-emitting-diodes  high-quality aln  growth  temperature  sapphire  algan  efficiency  ratio  Chemistry  Crystallography  
Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures 期刊论文
Crystengcomm, 2017, 卷号: 19, 期号: 1
作者:  Li, J. P.;  G. Q. Miao;  Y. G. Zeng;  Z. W. Zhang;  D. B. Li;  H. Song;  H. Jiang;  Y. R. Chen;  X. J. Sun and Z. M. Li
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